本文利用第一性原理赝势平面波方法计算了β-Si₃N₄和BN的结构性质、振动性质以及介电性质，建立了材料微观结构与介电性质之间的定量关系，可为新型Si-B-O-N低介电常数透波材料的设计提供依据。采用第一性原理分子动力学对晶体结构进行优化，然后利用密度泛函微扰理论计算了在布里渊区Г点的声子频率，运用群论原理对这些声子模进行了标定，并给出了红外光学声子模的纵向频率和横向频率的分裂值。最后，计算了材料在电场扰动情况下的相关性质，得到了光频介电张量、各原子的波恩有效电荷、零频介电张量以及介电张量在红外谱段的频率响应机制，分析了各个红外光学模的强度及其对介电张量的贡献，在此基础上计算得到其红外反射光谱，并与实验数据进行了对比，计算结果与实验数据一致。 对β-Si₃N₄计算表明，在800cm^-1至1200cm^-1波段（24 THz至36 THz）存在3个较强的红外光学模，具有较大的红外反射，透波性能较差；在高于1200cm^-1和低于800cm^-1的频段，红外光学模不存在或者其强度较弱，因而β-Si₃N₄在该波段的电磁波照射存在较小的反射和损耗，具有很好的透波性能。对BN的晶体结构，由于晶胞结构简单，红外光学模数目较少，因而相比β-Si₃N₄具有更好的红外透波性能。