氨化Si基Ga<,2>O<,3>/Ti和Ga<,2>O<,3>/TiO<,2>薄膜制备一维GaN纳米结构研究

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【摘要】

：

本文采用氨化磁控溅射Ga_2O_3/Ti和Ga_2O_3/TiO_2薄膜的方法在硅衬底上合成了GaN纳米结构。通过研究不同生长条件对制备GaN纳米结构的影响,初步提出并探讨了此方法合成GaN纳米结构的生长机制。我们首先利用磁控溅射系统在Si衬底上制备Ti薄膜,然后将样品在氨气气氛中退火,用X射线衍射(XRD)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)分析了样品的结构和组分。通过研究Ti/Si薄膜在NH3中的行

【作者】

：

孙莉莉

【机构】

：

山东师范大学

【发表日期】

：

2007年04期

【关键词】

：

磁控溅射氨化 GaN纳米结构 Ti TiO2

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