一维纳米材料因其优异的力学性能、光学性能及电学性能引起了凝聚态物理界、化学界及材料科学界科学家的广泛关注。关于一维纳米材料的研究主要包括三个方面:一维纳米材料的制备及其生长机理的研究;一维纳米材料结构与性能的研究;基于一维纳米结构的纳米元器件的研究。生长机理的研究为一维纳米材料的制备提供理论依据，是实现可控生长和器件制备的基础。　　一维纳米材料的生长机理可以分为以下几类:材料本身结构具有各向异性，可以自发生长成一维纳米结构;催化剂的引入使得材料一个方向性质异于其他方向，诱导生长一维纳米结构;使用模板或其他方式限制另二维生长，得到一维纳米结构等。　　除以上机制外，螺位错生长机制在最近几年受到了广泛的关注。其主要原理是螺位错为晶体生长提供了永不消失的台阶，易于原子的稳定生长，使得沿位错线方向的生长速度快于其他方向而呈现一维生长。基于对螺位错生长机制的深入和发展，我们认为层错和孪晶等同样作为晶体缺陷，也会对晶体生长有重要的影响。本文主要分为以下两部分:　　第一，对ZnS纳米线进行了电子显微表征，分析层错和孪晶对其生长的影响。实验结果表明，由于层错和面心立方结构微孪晶的存在，ZnS纳米线在主要生长方向[0001]的基础上出现[0110]方向生长的枝杈，同时在[01(1)0]枝权方向上观察到了大量层错和面心立方结构微孪晶。我们认为层错和面心立方微孪晶对ZnS的生长过程中起到促进作用。另外，我们还在ZnS纳米带中观察到六方结构孪晶的存在，由于孪晶界给晶体生长提供了生长台阶，使得纳米带沿着平行于孪晶界方向生长，同样也印证了孪晶生长的促进作用。　　第二，超导体半导体界面的研究不论在基础物理研究方面，还是在器件应用方面都有都有很高的科学价值。我们基于Pb/ZnO核壳结构构建了这样的界面并对其核壳结构进行电子显微表征，探讨了其形成过程。在[1(1)00]ZnO带轴上，透射电镜明场像显示核壳重叠部分具有二维莫尔条纹，通过莫尔条纹模拟及计算分析等方法确定核心为面心立方结构的Pb，Pb核心与ZnO壳层具有良好的外延关系，其关系为(111) pb//(0001)Zno;(110)Pb∥(11(2)0)Zno。高分辨模拟进一步证明了这一结论。