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由于聚合物发光二极管在信息显示、照明领域巨大的潜在应用价值，引起了广泛的关注。不过，目前基于聚合物发光材料的发光器件，其重要性能参数（如功率效率、流明效率）均落后于小分子器件，但是聚合物OLED具有小分子OLED所不能比拟的优势，聚合物发光二极管具有良好的机械加工特性，可以采用湿法处理，能精确控制共混比例和掺杂浓度，可以用旋涂或喷墨打印方式成膜，工艺简单，具有易于大面积成膜和成本低等众多优点。然而，由于聚合物OLED器件的固有电阻特性使器件在工作时内部产生大量焦耳热，输入功率仅有小部分可以转换成光能，其它大部分能量将以串联电阻和晶格振动方式转变成热量；随着热量产生，温度的升高，这不仅会因为热应力作用破坏OLED器件结构，还会随着温度升高加速OLED发光层老化，导致OLED器件寿命普遍较短，这严重制约了OLED产业化进程。目前，国内外关于PLED的热特性少有报道。对PLED器件的热特性进行研究，有助于了解器件失效过程，优化器件结构，改善器件稳定性，提高器件寿命，改进器件的性能。本工作针对聚合物OLED热特性进行系统深入的研究，进而为PLED器件优化设计提供了理论依据。文中采用ANSYS有限元分析软件中热分析结构单元，对聚合物有机电致发光二极管（PLED）在光强为1000 cd/m2时的热特性进行模拟，获得其温度场、热流分布及温度梯度的分布图，从仿真结果知PLED器件的最高温度为45.968℃，处于PFO-BT发光层，最低温度为45.95℃，处于石英玻璃基底末端。计算得出聚合物发光器件总热阻为1305℃/W,聚合物发光层至石英玻璃基底末端热阻为1℃/W。通过改变PLED器件输入功率、基底材料以及基底厚度3个参数，分别模拟得出其对PLED器件热特性的影响，仿真结果表明器件最高温度TH与输入功率P显现良好的线性关系；不同基底材料对器件温度影响小，负极端为器件主要散热通径；当基底厚度不断增加时，PLED器件最高温度随着增加，而最低温度不断减少，器件总热阻基本不变，发光层至石英基底末端热阻线性增大。针对聚合物电致发光二极管（PLED）面光源的结构特点,建立了PLED面光源正负极双通道的散热模型。采用有限元分析软件对PLED面光源在光强为1000cd/m2时的热特性进行模拟，获得其在自然对流和强制对流下的温度场分布图，从仿真结果知PLED器件的最高温度TH均处于PFO-BT发光层，分别为43.934℃和26.234℃。模拟PLED面光源由开始加载电压至光强为5000 cd/m2的全过程,获得PLED面光源最高温度TH与输入功率P之间线性关系。通过改变PLED面光源电极形状及开口率大小，分别模拟得出其对PLED面光源热特性的影响。仿真结果表明电极形状是PLED面光源最高温度TH重要影响因素之一，采用圆形电极更有利于PLED面光源散热；PLED面光源最高温度TH随着开口率增大而增大，但并非呈现简单线性关系。PLED面光源的热学研究结果为其优化设计提供了理论依据。