具有高介常数的柔性聚合物基复合材料在电子信息与电力工程领域有着广泛的应用前景。相较于传统陶瓷介电材料，聚合物介电材料具有低温易加工、柔韧性好的优点，但其本征介电常数普遍偏低限制了作为功能材料的使用。在保持复合材料易加工和柔韧性的同时，通过将高介电陶瓷粉体、导电材料等不同类型的填料与聚合物基体复合，是获得具有高介电常数、低介质损耗综合性能良好的聚合物基复合材料的重要途径。　　本文首先以聚偏氟乙烯PVDF为聚合物基体，通过固相法制备的高介电BST陶瓷粉体为填充相。采用溶液混合随后流延成型的方法分别将硅烷偶联剂KH550改性前、后的BST粉体填充聚合物基体，制备了BST/PVDF和BST(KH550)/PVDF复合薄膜，研究了BST粉体表面改性对复合材料界面改善和介电性能的影响，结果表明适量的KH550可以改善BST粉体在PVDF中的分散性能和界面结合性能，复合材料(BST30V％)介电常数从32.1提高到36.4。制备的不同填充量BST/PVDF两相复合材料中，当BST含量达到60V％时，介电常数达到65，是纯PVDF的6.5倍。　　为进一步提高复合材料高介电常数，基于渗流理论将导电炭黑CB、羧基化碳纳米管MWNTS作为导电相，设计并制备了导体/聚合物、导体/BST/聚合物(BST30V％)两类高介电复合体系，重点研究了三相复合材料中不同导电相含量对复合材料介电性能影响及渗流阈值附近介电常数非线性增强效应。结果表明，高长径比的MWNTS比球形CB更容易形成导电网络，具有更低的渗流阈值，当CB含量在6.2V％附近或MWNTS在1.38V％附近时，复合材料发生绝缘-导体的转变，介电性能发生突变。与导体/聚合物两相复合材料相比，由于BST的存在，三相复合体系具有更高介电常数。SEM分析表明，BST的存在对导电相的分散起到一定改善作用，降低了复合体系渗流阈值，在较宽填充区域内获得综合性能良好的复合材料。　　为了利于复合薄膜的制备及获得性能稳定、综合性能良好的复合材料，将CB、MWNTS两种粒子进行复配，通过合理地控制各相填充量比例，在较宽的配比范围内获了得介电常数大于100，介质损耗小于0.15的高性能介电材料，两种粒子复配减少了导电相的使用，降低了浆料的浓度，改善了薄膜的制备性能，对介电性能的提高也存在明显的协同作用。此外，SEM分析显示两种导电粒子复配改善了导电相在聚合物基体中的分散性。　　对上述各类复合材料进行的DSC测试表明，填充相的加入降低了聚合物基体的结晶度，复合材料的熔融转变温度变化不大，结晶温度得到明显提高;介电温谱测试发现，高导电相含量的复合材料介电常数、介质损耗在聚合物基体熔融转变区间随温度变化明显;随着频率的增加，复合材料介电性能随温度依赖特性减弱。