【摘 要】
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多元金属硒化物以其丰富的结构化学和特殊的物理化学性能而成为固体化学研究的一个活跃领域。本课题采用反应性熔盐法合成十个新的多元金属硒化合物,其中七个三元化合物KSnSe
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多元金属硒化物以其丰富的结构化学和特殊的物理化学性能而成为固体化学研究的一个活跃领域。本课题采用反应性熔盐法合成十个新的多元金属硒化合物,其中七个三元化合物KSnSe5,K7SnSe5,K4InSe3,K3InSe3,K2InSe2,AgBiS3,K4Sn3Se8,和三个四元化合物KAgBiSe4,K4Cu4GeSe13,K2AgIn3Se6。采用单晶X-射线衍射法测定K2AgIn3Se6和K4Sn3Se8的晶体结构。K2AgIn3Se6 属于单斜晶系,空间群为C2/c ,晶胞参数:a = 11.6411(7) ?, b = 11.6348(8) ?, c = 21.4179(12) ?, V = 2874.0(9) ?3, Z = 8。K2AgIn3Se6 的晶体结构是由平行于(001)晶面的中性[K2AgIn3Se6]层沿c方向通过分子间力堆积而成的。K4Sn3Se8晶体属于正交晶系,空间群为Ccca ,晶胞参数:a = 8.2115(6) ?,b = 27.790(2) ?,c = 8.1865(6) ?,V = 1868.2(2) ?3 ,Z = 4。K4Sn3Se8为零维结构晶体,由[Sn3Se8]4-和K+堆积而成。[Sn3Se8]4-构成带负电的基团,[Sn3Se8]4-是由[SnSe4]四面体共棱连接形成的三聚体。AgBiS3晶体经XRD物相鉴定,为一种新的物相。采用UV-VIS-NIR反射光谱对上述三种晶体进行导电性研究,K2AgIn3Se6的能隙Eg =2.8eV, 为绝缘体;K4Sn3Se8的能隙Eg =2.4eV,<WP=4>为半导体;AgBiS3的能隙Eg =0.79eV, 为半导体。对反应性熔盐法的影响因素(反应物配比,反应温度,反应时间,升降温速率等)进行了进一步的讨论。
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