【摘 要】
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本论文以三乙醇胺为络合剂、活性剂以及有机燃料,通过燃烧法以及后续的硒化工艺合成了CdSe/C杂化纳米带材料。所制得的杂化纳米带样品为长条带状,呈准一维结构;样品表面光滑平整
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本论文以三乙醇胺为络合剂、活性剂以及有机燃料,通过燃烧法以及后续的硒化工艺合成了CdSe/C杂化纳米带材料。所制得的杂化纳米带样品为长条带状,呈准一维结构;样品表面光滑平整,CdSe量子点均匀的镶嵌在碳纳米带中,与C纳米带杂化形成杂化结构。将单根CdSe/C杂化纳米带制备成FET器件,通过电学性能测试,发现CdSe/C杂化纳米带的导电类型为P型,且该纳米带的载流子迁移率达到了1.41210~4cm~2V~1S~1。经测试发现CdSe/C杂化纳米带发红光,CdSe带边发射有关的拉曼散射峰出现能量红移和带边发射强度的降低,并且发射谱非对称性的向高能边扩展呈Fano型。实验证明其是通过F rster共振能量转移传递能量,而连续激发和离散激发的耦合将导致非线性Fano效应的产生。光电导测试数据显示,基于CdSe/C杂化纳米带的光电探测器的光谱响应范围覆盖整个可见光区域,而且出现了多载流子效应。此外,其对光照具有快速响应和恢复的能力,其光电灵敏性非常稳定。此外,通过控制外加偏压可以控制CdSe/C杂化纳米带光电导的正负。压阻实验表明,单根CdSe/C杂化纳米带在压应变和张应变作用下,阻值分别减小和增大。其对应变变化非常灵敏,微小的应变变化都会在电学信号中显著的体现出来,并且不同的应变作用下,其都具有优异的压阻重复性和稳定性。
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