随着半导体技术和工艺的发展越来越成熟,现代信息的高速发展对数据的存储提出了进一步的要求,在集成电路的发展过程中,存储技术始终扮演着对集成电路发展非常重要的角色,而半导体存储器是电子设备最基本的元件之一。当前常见的半导体存储器按其存储特性可以分为易失性和非易失性存储器两个大类,其中易失性存储器主要有静态/动态随机存储器,非易失性存储器主要有铁电存储器、相变存储器、磁性存储器、阻变存储器、闪存等存储器。当今社会对存储器的要求不仅是更大的产量,还要求更高的数据存储密度、更快的读写速度。而在传统闪存器件达到目前物理工艺极限后,寻找新一代满足前述需求的半导体存储器是目前存储领域的热点问题。在众多的存储器候选者当中,阻变存储器拥有独特的优势而受到了众多的关注和研究,其独特的三层式结构使得阻变存储器能够采用更加简单的工艺得到更大的集成密度,这是其可能突破传统闪存的集成瓶颈的重要原因,阻变存储器还有众多优势,例如更快的读写速度、更高的数据保持性、更稳定的数据循环性、更低的能耗、与传统工艺的兼容性、与柔性衬底的结合等。因此阻变存储器已经成了存储器界的优秀候选者和研究热点,其中研究方向主要集中于阻变机制、阻变材料、阻变结构、神经网络模拟等方面。本论文对碲化铋及其与其他材料的纳米复合材料制成的阻变存储器进行了研究,从材料制备、材料表征分析、器件制备、性能表征、性能分析、机制分析等方面对碲化铋基存储器进行了研究。主要内容包括碲化铋六边形纳米片的制备和表征、纯碲化铋的柔性阻变存储器、碲化铋和海藻酸钠复合材料柔性阻变存储器、碲化铋和PVP复合材料柔性阻变存储器。本文制备碲化铋纳米片采用了简易的且对环境污染小的溶剂热方法,分析了不同制备因素对制得碲化铋形貌的影响,器件的制备方法主要为抽滤转移和旋涂。最后对制备的纯碲化铋的柔性阻变存储器、碲化铋和海藻酸钠复合材料柔性阻变存储器、碲化铋和聚乙烯吡咯烷酮复合材料柔性阻变存储器进行了电学性能测试,对其机制进行了分析。发现器件表现出了较好的阻变性能。最后我们对本文中的一系列研究进行了总结与展望。