基于SubLVDS技术的高速I/O接口芯片设计

来源 :南开大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:leolee19820604
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近年来,随着集成电路制造技术的不断进步,电子产品向便携化和小型化发展的趋势非常明显,在此基础上中央处理器和专用芯片的工作速度大幅提高。同时,芯片间以及芯片和外围电路间的数据传输速度,成为了制约系统带宽提高的主要瓶颈,目前存在的并行接口以及点对点物理层接口如RS-422、RS-485、SCSI以及其它数据传输标准在速度、噪声、EMI、功耗、成本等方面所固有的限制越来越难以胜任此任务,采用新的技术解决I/O接口问题成为必然趋势。   超低电压差分信号(SubLVDS,SubLowVoltageDifferentialSignaling)传输标准作为一种低电压摆幅的串行接口方式,具有低功耗、低噪声、低成本等优点,特别适合于数据量大但传输距离较短的便携设备应用。   在这样的背景下,本论文对数据率1.8Gbps-2.4Gbps,用于FPD-link的SubINDSI/O接口芯片进行了理论研究,基于SMIC0.18umCMOS数模混合工艺,对SubLNDS数据传输接口的模拟电路部分进行了设计实现和系统仿真。系统模块主要包括:偏置电路模块,包括带隙基准和稳压电路;数据发送器模块,使用共模反馈保证输出共模电平稳定,并通过一种新颖的跨导补偿结构设计,在保证信号摆率的前提下,降低预放大级输入电容,从而达到降低非理想传输线干扰和减小功耗的目的;数据接收器模块,采用高输入摆幅预放大单元和高速迟滞比较器的级联设计,具有较高的抑制输入噪声的能力;电荷泵锁相环倍频模块,着重于低压低功耗设计,输入频率范围60MHz-80MHz,输出600MHz-800MHz稳定的时钟脉冲,作为发送端和接收端的数据串行同步时钟。以上各部分电路,通过CadenceSpectre的前端仿真,结果表明各项参数完全符合设计要求。
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