基于0.18μm硅射频CMOS工艺5.8GHz混频器设计

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目前,人们对网络的依赖性越来越强,传统局域网络已经不能满足人们对移动通信的需求,无线局域网应运而生。无线局域网正在成为人们经常使用的无线接入互联网的方式,成为近年来迅速增长的领域。一个典型的应用就是基于802.11a标准的无线局域网。 射频集成电路(RFIC)是无线通信领域中不可缺少的关键电路,是无线通信的主要瓶颈。近年来,随着无线通信系统的容量和速率的提升,系统对RFIC的性能提出了更高的要求。同时,为了满足产品化后高可靠性和低成本的要求,用CMOS工艺实现单片集成的RFIC正逐渐成为研究的一个热点。 噪声是设计混频器电路时需要考虑的一个非常重要的问题。本论文详细介绍了噪声的定义、形成机理以及来源,并给出了计算混频器噪声的步骤。然后介绍了应用于无线通信中混频器的基本原理以及几种常见的混频器结构,并对各种结构混频器的优缺点作了阐述。针对目前RFIC设计中应用最为广泛的Gilbert单元电路,文章作了较为详细的分析与比较。 论文随后给出了一个应用于5.8GHz频段WLAN射频发射机前端混频器电路的设计,包括完整的电路结构、仿真以及版图和后仿真。该混频器以改进的Gilbert单元为核心,采用0.18μm CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺实现,主要性能指标如下:工作电压1.8V,工作频率5.8GHz,增益12dB,噪声10dB,1dB压缩点-12dBm。仿真结果符合设计要求。论文最后对整个设计进行了总结,提出了电路的改进方案以及今后工作的重点和方向。
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