1200V/75A混合PIN-Schottky二极管设计与工艺探索

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在现代电力电子电路中,对器件尺寸要求越来越小,对工作频率的要求越来越高,功耗越来越小。因此,对二极管提出了高耐压、低功耗、快恢复的要求。PIN-肖特基混合二极管(MPS)作为一种新型器件,集成了PIN二极管高耐压、低通态压降、低漏电流的优点和肖特基二极管的快恢复的优点。而且,由于MPS的自身特性,较容易获得软恢复特性。   本文的目的是设计1200V/75A的MPS结构的二极管,并进行部分工艺探索。首先,从理论上分析了MPS的工作原理,及各个参数对器件特性的影响。其次,利用ISE-TCAD软件对MPS的正向电流、反向耐压、反向漏电流、反向恢复等特性,以及场限环结构、漂移区少子寿命和温度对器件特性的影响进行了模拟。分析了器件特性随参数的变化规律。确定了MPS的结构参数:漂移区厚度70μm、漂移区掺杂浓度2×1013cm-3、P+深度10μm、P+区掺杂浓度5×1019cm-3、肖特基区宽度30μm,P+区宽度30μm、N+区厚度20μm、N+区掺杂浓度5×1019cm-3。场限环的参数为:环1宽度为50μm,环间距13μm;环2宽度为40μm,环间距18μm;环3宽度为30μm,环间距25μm。
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