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VO_x薄膜是一种红外热敏半导体材料。在钒的低价氧化物中,VO_2以相变幅度大、相变温度最接近室温而倍受关注。在68℃附近VO_2发生半导体一金属相变,相变前后VO_2的电阻率、磁化率、热容、光学常数等均发生突变。可以广泛的运用到非致冷红外探测器、热致开关、光电开关、光存储等方面。第一章简要介绍了VO_2薄膜的晶体结构、性能以及常见的VO_x薄膜制备方法,概述了VO_2薄膜作为一种新型薄膜材料的应用前景。第二章介绍了磁控溅射镀膜和离子束溅射镀膜机理和工艺特点,薄膜的沉积过程。