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本文通过对半固态搅拌法制备SiC颗粒增强A357复合材料的研究,确定了优化的制备工艺:基体合金温度为585-590℃;搅拌前将SiC颗粒在600℃预热1h,降温至200℃左右加入基体合金中;SiC颗粒加入过程中搅拌速度为300r/min,在后续的搅拌过程中降为200r/min;颗粒加入速度为40g/min;加完SiC后继续搅拌30min。利用优化的工艺制备出了颗粒分布均匀、界面结合良好的SiCp/A357复合材料。组织观察表明,在SiCp/A357界面上没有发现有害界面反应生成的Al4C3,只存在以SiC作为衬底进行非均质形核的Si,说明在本实验条件下界面反应得到了很好的抑制。采用半固态搅拌法制备的SiCp/A357复合材料中主要缺陷有颗粒团聚、气孔、晶界偏析。对SiCp/A357复合材料的重熔处理进行了研究,其结果表明,SiCp/A357复合材料重熔温度应控制在750℃以下,重熔静置时间控制在1.5h以内,采用分段式抽真空法对SiCp/A357复合材料进行精炼,既可以避免引起SiC颗粒的脱出,又具有良好的除气效果。同时,在浇注前应对复合熔体进行搅拌,以消除SiC的宏观偏析。对SiCp/A357复合材料进行了充型性能以及低压铸造成形研究,其结果表明:当SiC含量一定时,随着浇注温度的提高,SiCp/A357复合材料的流动性提高;在相同浇注温度下,随SiC体积含量的增加,SiCp/A357复合材料的流动性明显降低。采用低压铸造制备的SiCp/A357复合材料板件中,SiC颗粒的分布基本均匀一致。采用低压铸造方法成功浇注了15vol.% SiCp/A357复合材料薄壁圆筒件,铸件轮廓清晰,壁厚均匀,表面光洁平整,没有浇不足、冷隔等铸造缺陷,说明采用低压铸造进行SiCp/A357复合材料薄壁复杂件成形是可行的。