传统的隔离型DC/DC变换器,由于电路拓扑和器件的限制,开关频率不能随着电力电子技术的发展而提高,导致电路的体积过大、效率低下等缺陷;而传统的谐振DC/DC变换器也存在循环能量高、电路损耗大、调压性能差等缺点。然而,LLC谐振变换器可以实现原边开关的零电压开通(ZVS)和副边开关的零电流关断(ZCS),开关损耗小,可以工作在高频场合,同时具有良好的调压性能和很高的效率;元件电压应力小,易于选型和实现集成磁技术。新型GaN功率器件,有着门极电荷小、开关速度快、导通损耗低、无反向恢复等优点,应用在LLC谐振变换器,利用软开关技术,可以大大降低高频带来的开关损耗,从而提高变换器的效率和功率密度。本文的研究工作主要从以下几个方面进行展开:首先,对GaN功率器件和Si MOSFET进行结构分析和特性参数对比,根据GaN器件的开关特性对GaN器件驱动电路的要求,研究和分析了几种可行的GaN驱动电路;利用GaN半桥评估板对其驱动电路进行脉冲测试,并对驱动信号波形进行分析;其次,对LLC谐振变换器和其它DC/DC变换器拓扑进行比较分析,体现了LLC谐振变换器在调压性能、效率和功率密度方面具有很大的优势,并对基于GaN器件的LLC谐振变换器的工作原理和模态进行分析,利用基波分析法详细分析LLC谐振变换器的特性得出电路的设计方法,介绍了基于GaN器件的半桥评估板的控制方法。最后,对LLC谐振变换器的参数进行设计,根据设计出来的参数进行仿真验证,然后利用半桥评估板搭建一款额定输入电压400V,输出电压48V,谐振频率为1MHz基于GaN器件的LLC谐振变换器实验平台,并进行实验波形的调试,验证理论分析和设计方法的正确性。