爆炸桥箔在冲击片雷管中扮演了最重要的角色,最常用的桥箔材料为铜。磁控溅射是目前冲击片雷管所用铜箔的最优制造工艺,而不同溅射参数对薄膜的结构、形貌和性能有着重要影响。为此,本文利用磁控溅射法制备铜薄膜用于爆炸桥箔,研究了制备工艺与铜膜生长、组织特征和电爆性能之间的关系。主要研究内容及成果如下:(1)采用直流磁控溅射法在不同靶基距、不同溅射功率和工作气压条件下沉积了一系列Cu薄膜,并对其进行X射线衍射、原子力显微镜、电阻率测试,表征了Cu薄膜的微观结构、表面形貌以及电阻率;通过紫外光刻技术将Cu薄膜制成桥箔,采用电爆测试平台获得了Cu桥箔的电爆参数。(2)研究了靶基距与薄膜均匀性的关系,结果表明:随靶基距的增大,膜厚均匀性越来越好,但同时,薄膜的沉积速率会迅速降低。(3)分析了工艺参数对Cu薄膜的沉积速率、微观结构和电阻率的影响,结果表明:随溅射功率增大,Cu薄膜的沉积速率增加、晶粒尺寸增大、Cu(111)晶面择优取向特性变差,且电阻率降低;随溅射工作气压增大,Cu薄膜的沉积速率降低、晶粒尺寸减小、Cu(111)晶面择优取向越明显,且电阻率增加。(4)研究了Cu薄膜的晶粒尺寸、择优取向对其电爆性能的影响,结果表明:对于相同桥区参数的Cu桥箔,晶粒尺寸越小,其爆发时刻就越早;Cu(111)晶面择优取向越明显,其爆发电流和峰值功率就会越大。