大数据时代的到来对大容量存储器带来了新的机遇,同时也提出了新的挑战。浮栅存储器是目前应用最为广泛的非易失性存储器之一,占据了非易失性半导体存储器90%以上的市场。研究表明存储器尺寸的减小与工艺的改进会带来器件可靠性问题,这其中随机电报信号(RTS)的噪声问题由于器件工艺进入纳米时代而更为突出,噪声会带来信号的抖动,从而会影响信息读取的正确性,甚至会引起芯片功能与性能上的失效。本论文针对65nm工艺下NOR型闪存的随机电报噪声及其对于器件的可靠性影响展开研究。主要研究内容包括:获取了NOR型闪存随机电报噪声的基本参数;通过随机电报噪声分析得到了RTS缺陷空间与能级分布;基于俘获/发射截面模型研究了不同的阈值电压状态对于RTS时间常数的影响。通过大量实验,得到结论:随着阈值电压的增加,器件RTS噪声的俘获时间增加,发射时间减小;针对该现象,提出了俘获/发射截面模型加以解释。该工作主要创新点在于:首次研究了阈值电压对于RTS信号以及相应的RTS缺陷的影响,并建立了基于俘获/发射截面的物理模型;对于陷阱俘获/发射电子的过程,以及RTS噪声对于器件阈值电压的依赖有了更深刻的理解。这些结果对于NOR型闪存RTS噪音的物理机理、可靠性退化机制有着一定的科学意义。同时,为改善NOR型闪存的可靠性提供参考。