【摘 要】
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以碳纳米管为代表的一维纳米材料因其优异的力、电、磁、热、光等性能，成为纳米科技领域的重要分支，一维纳米材料的合成是相关研究的基础。本论文在一维碳纳米结构、氮化硼纳米
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以碳纳米管为代表的一维纳米材料因其优异的力、电、磁、热、光等性能，成为纳米科技领域的重要分支，一维纳米材料的合成是相关研究的基础。本论文在一维碳纳米结构、氮化硼纳米管、硅基化合物一维纳米结构合成与表征方面开展了较系统的研究工作并取得了一些进展：
1．碳纳米管具有许多独特的性能，在复合材料、吸氢和储能、场电子发射、催化剂载体等方面具有重要应用前景。作者通过微波等离子体增强的化学气相沉积法，以甲烷为碳源，氮气为载气，在氧化铝负载的铁催化剂上合成了纳米空腔堆积的一维链状碳纳米结构，这种结构含有丰富的纳米尺度空腔，可能在储氢等领域具有独特的性能和作用。
2．对重要的BN纳米管，作者以NiO/MgO与B粉球磨后的产物作为催化剂，通过低温还原与高温氮化相结合合成了大量的BN纳米管以及少量纺锤形单元构建而成的BN一维纳米结构、包裹及空心的BN纳米粒子，提供了一条制备BN纳米结构的新技术路线，并对生长机制进行了合理的讨论。
3．以SiC为代表的硅基化合物是近年迅速发展起来的新一代半导体材料，其一维纳米结构的合成与性能研究是当今前沿热点。本文采用碳热还原与化学气相沉积相结合的技术路线，以碳包镍纳米粒子(Ni＠C)等为催化剂，再提供外来的Si源，制备了SiC、SiC<,x>O<,y>、SiO<,x>、SiO<,x>N<,y>等系列硅基化合物一维纳米结构(纳米线、带)，并提出了合理的生长模型。
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