本论文对Pr₅Si₄-Pr₅Ge₄、Nd₅Si_4-Nd₅Ge₄及Gd₅Ge_4-La₅Ge₄体系中化合物的晶体结构、体系相关系及化合物的物理性质进行了系统研究,主要结果如下:室温下Pr₅Si_4-xGe_x体系存在三个单相区:四方Zr₅Si₄结构的Pr₅Si₄基固溶体（P41212,0≤x≤1.35）;正交Sm₅Ge₄结构的Pr₅Ge₄基固溶体（Pnma,2.9≤x≤4.0）;单斜Gd₅Si₂Ge₂型金属间化合物相（P1121/a,1.65≤x≤2.6）。经1273K退后一周后,该体系只存在两个单相区:Zr₅Si₄结构的Pr₅Si₄基固溶体（0≤x≤2.8）;正交Sm₅Ge₄结构的Pr₅Ge₄基固溶体（3.0≤x≤4.0）;室温存在的单斜Gd₅Si₂Ge₂型金属间化合物相区则完全转变为高温的四方相相区。同时我们给出了该体系室温及高温几个化合物具体的晶体结构信息。对Pr₅Si_4-xGe_x体系室温相及高温相的磁性研究中,发现了由Canted磁结构及Pr离子的磁晶各向异性引起的零场冷却（ZFC）及场冷（FC）M-T曲线的低温分离。用RKKY理论对磁有序温度的变化规律进行了解释。对体系中几个化合物的电输运性质进行了研究,在Pr₅Ge₄化合物中发现了由磁结构变化而引起的高达25%的巨磁阻。室温下Nd₅Si_4-xGe_x体系存在四个单相区:四方Zr₅Si₄结构的Nd₅Si₄基固溶体（P41212,0≤x≤0.7）;正交Sm₅Ge₄结构的Nd₅Ge₄基固溶体（Pnma,2.9≤x≤4.0）;两个金属间化合物相,正交Gd₅Si₄型金属间化合物相（Pnma,1.1≤x≤1.4）,单斜Gd₅Si₂Ge₂型金属间化合物相（P1121/a,1.8≤x≤2.65）。经1273K退后一周后,该体系只存在三个单相区:四方Zr₅Si₄结构的Nd₅Si₄基固溶体（0≤x≤2.3）;正交Sm₅Ge₄结构的Nd₅Ge₄基固溶体（3.3≤x≤4.0）;单斜Gd₅Si₂Ge₂型金属间化合物相（2.5≤x≤3.05）;室温Gd₅Si₄型的正交结构以及部分单斜相在1273K退火一周后,则完全转变为高温的四方相。同时我们给出了一些室温相（Nd₅Si₄、α-Nd₅Si₂.8Ge1.2、α-Nd₅Si₂Ge₂及Nd₅Ge₄）及高温相（β-Nd₅Si₂.8Ge1.2、β-Nd₅Si₂Ge₂）的具体晶体结构信息。对化合物Nd₅Si_4-xGe_x（x=1.2, 2.0）的室温及高温相的磁性进行了研究,也发现了由Canted磁结构及Nd离子的磁晶各向异性引起的ZFC及FC的M-T曲线的低温分离。用RKKY理论对磁有序温度的变化规律进行了解释。室温下Gd₅-xLaxGe₄体系存在三个单相区:空间群为Pnma的正交Sm₅Ge₄结构的Gd₅Ge₄基固溶体及La5Ge₄基固溶体;一个空间群为P1121/a的单斜Gd₅Si₂Ge₂型金属间