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ZnO量子点既具有ZnO体材料本身的优点,如宽带隙(3.37 e V)、室温下有大的激子束缚能(60 me V),又有大的比表面积和明显的量子尺寸效应等特点,是制备新型紫外光电器件的理想材料,因此受到人们广泛关注。本文围绕Ag-ZnO纳米结构体系的荧光增强现象开展研究工作,得到了一些研究结果。具体的研究工作与成果如下:通过化学法制备出了Ag纳米粒子和纳米线等结构。其中制得的Ag纳米粒子的平均粒径为200nm,而Ag纳米线的平均直径为160nm,长度为3~15μm。高分辨率TEM图表明,制备的Ag纳米结构具有单晶特性。Ag纳米结构的形态受到Ag NO3和PVP的浓度比,生长时间和Cl-离子浓度的影响。不同的Ag纳米结构具有不同的吸收峰。利用溶胶凝胶法制得ZnO量子点,通过调节反应温度可以调节ZnO量子点的尺寸。尺寸为5nm的ZnO量子点存在带边荧光峰(365 nm)和缺陷发光峰(520 nm)。ZnO量子点的荧光特性与合成温度,放置天数和保存温度等因素有关。在Si衬底表面滴加Ag纳米粒子后滴加ZnO量子点,制备出两者的混合样品。当二者的滴数比为1:3时,ZnO量子点的带边荧光和缺陷光分别获得最大增强倍数为7倍和40倍。而Ag纳米线对ZnO量子点的荧光增强较弱。通过实验测量和理论计算Ag纳米粒子的吸收谱和散射谱,探讨了ZnO量子点和Ag纳米粒子混合体系的荧光增强机制。Ag纳米粒子的共振吸收峰主要位于350 nm和440 nm附近,且吸收峰峰宽较宽。理论计算表明,Ag纳米粒子存在横向偶极共振和纵向偶极共振两种模式。这两种模式的共振波长随Ag纳米粒子的高宽比的减小而分别出现红移和蓝移现象。ZnO量子点的包裹可以使Ag纳米粒子的共振波长明显红移,并增大L1和L2共振波长的差异。L1共振波长与ZnO缺陷光波长相匹配,这说明Ag纳米粒子的L1共振会导致ZnO量子点缺陷光增强。而ZnO带边荧光增强则归结于Ag纳米粒子的四极共振模式。时域有限差分法给出了Ag纳米粒子在364 nm和520 nm光激发下的增强电场分布,验证了上述增强机理。