超低温微波低噪声放大器(LNAs)是一些高灵敏度接收器中的关键组成部分。目前应用在低温条件下的最先进的低噪声放大器采用的一般是磷化铟高电子迁移率晶体管(HEMTs)或锗化硅(Si Ge)异质结双极型晶体管(HBTs)。近几年,关于Si Ge HBT在低温低压条件下工作时的噪声特性研究十分匮乏。但为了减少设计时间、提高设计效率以及成功率,建立Si Ge HBT在低温条件下的等效噪声模型具有重要的理论意义与使用价值。本文中通过分析Si Ge HBT在低温低压条件下的理论直流特性、交流特性以及小信号特性,并且与其他温度与偏置条件下的值做对比来证明Si Ge HBT在低温低压条件下工作的可行性。本文利用参数直接提取法对工作在不同温度与偏置条件下的Si Ge HBT建立小信号等效电路模型。并通过分析对其进行简化,从而建立了一个适用于Si Ge HBT工作在放大状态和饱和状态的简化的小信号等效电路模型。并通过对比两模型不同温度与不同偏置条件下的Y参数,来证明此简化的小信号等效电路模型的准确性。由于目前常用的散粒噪声模型要么没有描述散粒噪声与频率的关系,要么过于复杂而在低温低压条件下不适用。所以本文基于上述的简化小信号等效电路模型建立了一种高频噪声模型,并提取了散粒噪声参数。并基于几种常见的散粒噪声模型,利用数学拟合的方法建立了一种半经验的散粒噪声模型。最后,利用这种半经验的散粒噪声模型,建立了一种实用的四噪声参数模型。发现Si Ge HBT的各个噪声参数都与集电极-发射极电压都有一定的关系。但是只要保证Si Ge HBT工作在放大区或者是弱饱和区,Si Ge HBT的各个噪声参数都不会出现衰减。