柔性直流输电技术的快速发展对其核心装备中电力电子器件的容量和可靠性提出了严苛的要求,尤其是模块化多电平换流阀和高压直流断路器。传统的焊接式IGBT模块已经越来越难适应柔性直流输电和机车牵引等领域中更为苛刻的工作条件,可靠性问题愈加突出。压接型IGBT器件相对传统焊接式IGBT模块而言具有功率密度大、可靠性高、易于串联和失效短路等优点,现已逐步应用到高压直流输电等高压大功率应用场合。压接型IGBT器件封装结构与焊接式IGBT模块化的封装结构大相径庭,所以存在完全不同的长期可靠性问题。压接型IGBT器件封装结构是各种金属材料及硅芯片相叠加的层压结构。在工作过程中,各种材料因热胀冷缩的原因,会出现相互挤压和摩擦。久而久之,各种金属材料会出现不同程度的变形以及磨损,影响了器件的性能。功率循环试验是考核功率半导体器件最为常用的试验,可以通过模拟器件的实际工况来考核器件的可靠性。但真实试验周期长投资大,并且人们对新型器件的封装经验不足,所以必须先进行仿真模拟去了解一些基本特性,进行器件可靠性的初步研究,为后续功率循环等可靠性试验奠定基础。本文首先针对高压大功率IGBT器件的可靠性问题,总结了高压大功率IGBT器件可靠性研究的相关内容,并对可靠性研究中的寿命预测方面进行了深入研究,总结了高压大功率IGBT器件可靠性寿命预测相关模型,结合压接型IGBT器件的压接特点和可能的失效模式,提出了压接型IGBT器件可能的可靠性寿命预测模型。然后结合压接型IGBT器件可靠性寿命预测相关模型和有限元分析方法,建立了压接型IGBT器件单芯片子模组可靠性寿命仿真模型,并通过相应的仿真计算研究了外部和内部各个因素对于压接型IGBT器件可靠性寿命的影响。最后,通过仿真结果分析得出压力对于压接型IGBT器件可靠性寿命影响较大,根据目前已有的压接型IGBT器件封装结构,提出了一种压力分布更为均匀的压接型IGBT器件新型封装结构。