【摘 要】
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该论文采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备BaCaCuO非晶前驱薄膜,然后后退火铊化处理制备TlBaCaCuO高温超导薄膜.运用多种现代的特征化技术对在（001）LaAlO基片上制备的TlBaCaCuO高温超
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该论文采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备Ba<,2>Ca<,1>Cu<,2>O<,x>非晶前驱薄膜,然后后退火铊化处理制备Tl<,2>Ba<,2>Ca<,1>Cu<,2>O<,8>高温超导薄膜.运用多种现代的特征化技术对在（001）LaAlO<,3>基片上制备的Tl<,2>Ba<,2>Ca<,1>Cu<,2>O<,8>高温超导薄膜的生长机理、微观结构与物理性质进行了系统的研究.以优化的沉积参数和铊化工艺,制备了适宜于薄膜器件应用的高质量的Tl<,2>Ba<,2>Ca<,1>Cu<,2>O<,8>高温超导薄膜,最高超导临界转变温度为101K.运用XRD、SEM、TEM等分析手段对所制备超导薄膜的结构、形貌和界面状态进行了表征.研究表明,以最佳铊化工艺制备的Tl-2212超导薄膜具有高度的c轴取向,界面清晰且无过渡层,不存在明显的界面反应.双温铊化退火有利于获得表面光滑平整的超导薄膜,而单温铊化退火有利于获得更好的超导电性.
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