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铁电薄膜是一类重要的功能性薄膜材料,因其具有介电性、压电性、热释电性、铁电性以及声光效应、电光效应、光折变效应和非线性光学效应等其他重要特性,可以制备动态随机存储器、声表面波器件、热释电探测器、铁电随机存储器、移相器、声光偏转器等多种器件。同时随着整机和系统向着小型化、轻量化的方向发展,微电子、光电子、微电子机械等提出了小型化、轻量化、集成化的要求,因此铁电薄膜成为了目前高新技术研究的前沿和热点之一。本文采用射频磁控溅射法成功制备了Bi0.9Nd0.1FeO3(BNFO)薄膜。XRD研究表明,生长在单晶Si(100)的BNFO薄膜呈现了钙钛矿的结构,从SEM的测试结果可以看出,所制备的BNFO薄膜是致密的、无裂缝的,而且随着退火温度从450℃升高到750℃,薄膜的平均晶粒尺寸越来越大,晶化也越来越好。更重要的是,在750℃退火的薄膜样品的饱和磁化强度达到了3686emu/cm3,比其他温度下退火的饱和磁化强度高近两个数量级,其可能的原因是由于该样品中的Fe2+离子以及γ-Fe2O3杂质所导致的。其次,同等溅射条件下,我们选择了Si(100)、熔融石英以及LSAT(100)做衬底分别沉积了BNFO薄膜。结果表明,在不同的衬底上,薄膜的最佳退火温度有所变化,但用磁控溅射方法所制备的薄膜均有比较致密的晶粒结构,LSAT衬底上的BNFO薄膜晶粒较Si衬底上的要小,而熔融石英上的则出现了熔融的状态。三种衬底上的BNFO薄膜都显示出了很强的饱和磁化强度,其中Si衬底上最大,引起这种强磁的原因可能是产生的Fe2+对薄膜原有的螺旋自旋结构有破坏作用或者是由外延应力引起的各向异性。同样是采用射频磁控溅射法,我们还成功制备了Bi3.4Nd0.6Ti3O12(BNT)薄膜。SEM结果显示,所制备的薄膜致密、均匀、光滑且无裂缝。随着退火温度的升高,薄膜的晶粒尺寸增大,导致禁带宽度逐渐减小,所有的样品的折射率在可见光范围内都基本保持不变且薄膜透明,但各样品的折射率随退火温度变化稍有不同。表明可以通过控制退火温度来控制薄膜的光学常数,例如禁带宽度等,开发BNT薄膜在光电器件上的可能应用。除此之外,本论文还采用共沉淀法制备了Ni0.5Co0.5Fe2O4纳米粉体,并测量了样品的结构和磁性能,研究了退火温度对样品性能的影响。XRD结果表明,尖晶石结构的Ni0.5Co0.5Fe2O4材料具有较强的(311)晶粒取向,晶粒大小为15.6~49.5nm。磁性测量结果表明Ni0.5Co0.5Fe2O4粉体饱和磁化强度先随退火温度的上升而增加而后再减小,这可能是由于样品A,B位Fe离子发生超交换的结果。矫顽磁场随晶粒大小不同的改变可以根据畴结构及晶粒各向异性来解释。