本论文工作围绕2μm中红外波段AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和器件工艺中存在的问题,对其相关材料的湿法干法刻蚀以及电化学C-V（EC-V）载流子浓度剖面测量技术进行了研究和改进,取得了如下结果: 一.研究了锑化物材料的湿法腐蚀机理并改进了腐蚀工艺,对基于氢氟酸的两种腐蚀液（HF-NaKT-H₂O₂、HF-H₂O₂）的腐蚀特性进行了研究。实验结果表明这两种腐蚀液对GaSb和AlGaAsSb的腐蚀速率稳定,在较低的腐蚀液浓度时可对腐蚀速率进行精确控制,腐蚀后材料表面平整光滑。在合适的Al组分下还可对这两种材料进行非选择性腐蚀。 二.使用Cl₂/Ar作为刻蚀气体对GaAs、GaSh、InP和InAs四种材料进行反应离子刻蚀（RIE）的研究。分别研究了刻蚀气体组分、偏置射频功率以及刻蚀时间对刻蚀速率以及刻蚀形貌的影响。研究表明,在刻蚀GaSh以及GaAs时刻蚀速率分别可达0.45gm/min和1.2μm/min,但是在刻蚀含铟的两种材料时速率都很低（<40nm/min）。在所研究的大部分刻蚀反应条件下,GaAs、InP和InNs的刻蚀面都可以保持平整光滑,但在GaSb的刻蚀中,当氯气含量较高时,表面会变得较为粗糙。 三.对GaSb、AlGaAsSb以及InGaAsSb材料进行感应耦合等离子体刻蚀,刻蚀使用BCl₃/Ar作为刻蚀气体。分别研究了刻蚀气体组分、射频自偏压以及ICP源功率对材料刻蚀速率以及形貌的影响,并详细讨论了刻蚀过程中各阶段的反应机制。实验表明,相同条件下GaSb和AlGaAsSb的刻蚀速率大大高于InGaAsSb的刻蚀速率。在所有研究采用的实验条件下对这两种材料的刻蚀均能得到平整的