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纳米MOSFET的高频E_n-I_n噪声模型研究
【摘 要】
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CMOS微电子技术具有集成度高、成本低、性能优良的特点,目前已被应用于射频微波通信电路的设计中,尤其是低噪声前置放大电路。精确的MOSFET小信号等效噪声电路模型是CMOS低噪声放大器的设计基础,电路的仿真分析与设计不仅易于动态观测电路指标与电路参数的关系,指导电路的优化设计,从而缩短设计周期,降低设计成本。目前纳米MOSFET的高频噪声物理模型通常采用双端口等效噪声电流模型表征,无法直接用于低噪
【出 处】
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西南科技大学
【发表日期】
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2019年12期
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