碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备及性能研究

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本文采用熔剂保护法,以金属镁为基体,以尺寸5~10μm的碳化硅颗粒为增强相,制备了碳化硅颗粒增强的镁基复合材料。研究了各种制备条件对复合材料微观组织及性能的影响。实验得到了均匀弥散分布的碳化硅颗粒增强的镁基复合材料,其最佳制备条件为:复合温度845℃;保温时间60min;保温温度400℃;冷却方式空气冷却;SiC颗粒加入方式为把镁条盘成圆形,SiC颗粒均匀掺入到镁圆盘的缝隙中;SiC颗粒的预处理方式是在800℃高温焙烧2小时。复合材料相组成分析表明,在复合材料的制备过程中,界面发生轻微的化学反应,有高强硬质的Mg2Si结构材料生成。SiC颗粒增强镁基复合材料的性能研究表明,随着SiC颗粒加入量的增加,复合材料的硬度和密度也呈增加趋势;SiC颗粒可作为增强相有效地提高基体镁的抗拉强度和屈服强度,当SiC颗粒加入量相同,复合材料的其它制备条件不同时,材料的抗拉强度和屈服强度也有差异;随着SiC颗粒加入量的增加,复合材料的电导率逐渐降低。SiCp/Mg复合材料断口微观形貌分析显示,复合材料的断裂属于基体韧断、界面脱开和增强体颗粒断裂三种模式。空洞首先在增强体颗粒处形成,形成方式有颗粒剥离和颗粒断裂。空洞形成后有少量的长大,随后在颗粒之间的基体处,由于变形的严重局部化,使小空洞快速形成、长大,最终聚集断裂。
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