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智能时代的来临使得微显示器件在消费电子领域占据越来越重要的地位。继液晶微显示之后出现的有机微显示器件因其全固态特性而倍受重视。受限于微显示过小的像素尺寸,实现彩色有机微显示采用有机白光器件结合彩色滤光膜的方法最为适宜。而白光器件中组分光较宽的发射光谱和彩色滤光膜较宽的透射谱使得有机微显示存在像素色纯度不高的问题。由于微腔效应能够对器件的发光光谱进行波长选择和窄化,因此本论文围绕利用微腔效应获得色纯度较好的R、G、B单色像素展开研究,主要内容如下:1、利用了不含稀有金属的AZO透明导电膜作为腔长调节层,优化了AZO（ZnO:Al）透明导电薄膜的性能。用磁控溅射的方法沉积AZO薄膜,改变沉积过程中的工艺参数,探究不同工艺参数对AZO薄膜导电性能的影响,以获得与有机微显示兼容的导电性能良好的AZO薄膜。首先探究溅射时氩气压力与AZO薄膜方阻的关系,仅改变氩气压力,使之分别为5mTorr、10mTorr、15mTorr,溅射300nm厚度的AZO薄膜,测定方阻平均值分别为2216Ω/□、2629Ω/□和2943Ω/□。由实验结果得出,AZO薄膜的方阻随着氩气压力的降低而降低,但过低的气压导致难以启辉,溅射无法进行,因此选定氩气压力为5mTorr。随后探究衬底温度与AZO薄膜方阻的关系,分别在衬底温度为100℃、150℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃的情况下溅射300nm厚度的AZO薄膜,测得方阻平均值分别为13334.2Ω/□、6803.8Ω/□、3172Ω/□、2776Ω/□、1221.6Ω/□、1061.4Ω/□、5147.4Ω/□。测试结果表明,在衬底温度为350℃的条件下,得到的AZO薄膜的导电性能最好。最后探究退火温度对AZO薄膜方阻的影响,对溅射得到的AZO薄膜分别进行300℃、350℃和400℃的后续退火30min处理,测试得到AZO薄膜的方阻平均值分别为879.02Ω/□、576.44Ω/□、1031.8Ω/□。从测试结果得出,对薄膜进行350℃的退火处理可以有效地降低薄膜的方阻,提高其导电性能。在目前实验条件下,获得的最优的氩气压力为5mTorr、衬底温度为350℃、以及退火温度为350℃,制得的AZO薄膜其可见光范围内的透过率在85%以上,其功函数为5.16eV。2、利用以上生长的AZO作为微腔腔长调节层从有机发光器件中分别获得了色纯度较好的R、G、B单色光。设计了器件结构为Al（高反射）/AZO（x nm）/MoOx（10nm）/TcTa（50nm）/26DCzppy:15%FIrpic（10nm）/26DCzppy（2nm）/CBP:6%Ir（ppy）3（4nm）/CBP（2nm）/CBP:4%Ir（MDQ）2acac（2nm）/Bphen（50nm）/Cs2CO3（1nm）/Al（半透）的含多组分光的OLED器件。选定RGB三个单色光的谐振波长分别为620nm、525nm和470nm,利用微腔效应理论进行了计算,得到了对应RGB器件的AZO薄膜厚度x分别为348nm、269nm和222nm,制得的三个单色光器件的光谱峰值分别在616nm、532nm和480nm处,接近选定值,拟合得到的光谱的半峰宽FWHM（Full Width at Half Maximum,FWHM）分别为17.02nm、17.93nm和16.59nm,色纯度得到了改善,CIE坐标分别为（0.613,0.298）、（0.432,0.550）和（0.260,0.265）。