【摘 要】
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硅纳米线具有优于体硅和非晶硅材料的光学和电学特性,如高的陷光效应、载流子收集效率、量子限域效应和带隙可调等优点,因而在光电器件领域具有广泛的应用价值。本文首次使用射频磁控溅射法成功地在ITO玻璃上制备出硅纳米线(SiNWs),通过控制生长温度、Ar/H2及沉积时间实现了对硅纳米线的直径、长度与密度的可控生长。系统地研究了生长温度和Ar/H2对硅纳米线的表面形貌、内部晶体结构、光学和电学特性的影响。
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硅纳米线具有优于体硅和非晶硅材料的光学和电学特性,如高的陷光效应、载流子收集效率、量子限域效应和带隙可调等优点,因而在光电器件领域具有广泛的应用价值。本文首次使用射频磁控溅射法成功地在ITO玻璃上制备出硅纳米线(SiNWs),通过控制生长温度、Ar/H2及沉积时间实现了对硅纳米线的直径、长度与密度的可控生长。系统地研究了生长温度和Ar/H2对硅纳米线的表面形貌、内部晶体结构、光学和电学特性的影响。此外,在硅纳米线的基础上制备了碲/硅纳米线(Te/SiNWs)结构,研究了Te/SiNWs结构的微观结构
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