【摘 要】
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全无机铯铅卤钙钛矿纳米晶由于其优异的光学和电学性能而备受关注,被广泛应用于太阳能电池,发光二极管,激光器和光电探测器等各个领域。然而在实际应用于高质量的发光二极管时,稳定且发光量子产率高的纳米晶的获取仍然是值得关注的问题。根据[PbX_6]4+八面体的连接方式可以将钙钛矿分为四类,包括三维,二维,一维和零维。Cs_4PbBr_6等零维钙钛矿晶格结构中的[PbX_6]4+八面体全部解耦,具有良好的环
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全无机铯铅卤钙钛矿纳米晶由于其优异的光学和电学性能而备受关注,被广泛应用于太阳能电池,发光二极管,激光器和光电探测器等各个领域。然而在实际应用于高质量的发光二极管时,稳定且发光量子产率高的纳米晶的获取仍然是值得关注的问题。根据[PbX6]4+八面体的连接方式可以将钙钛矿分为四类,包括三维,二维,一维和零维。Cs4PbBr6等零维钙钛矿晶格结构中的[PbX6]4+八面体全部解耦,具有良好的环境稳定性。本文采用操作简便且无需惰性气体保护的“一锅”法,调节前驱物PbBr2与Cs2CO3的摩尔比分别为4和3时,成功制备出高质量的立方相CsPbBr3纳米晶和CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶。在透射电子显微镜下观察到CsPbBr3纳米晶是平均边缘长度约为10.2nm的立方体状。而CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶显示为平均边缘长度约为14.3nm的正六边形,并附着约4nm的CsPbBr3纳米颗粒。对两类纳米晶产物的光学性质进行表征,得到CsPbBr3纳米晶的带边吸收峰在504nm,发射峰为519nm对应半峰宽为36nm;CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶的带边吸收峰在503nm和313nm,发射峰为515nm对应半峰宽为33nm。值得注意的是,CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶的发光量子产率是纯相CsPbBr3纳米晶的约两倍,可达74%,而且该复合相能在固态保持发光性能。其原因可以归结为Cs4PbBr6基体外壳对内嵌物CsPbBr3纳米晶的表面缺陷钝化作用和隔绝外部水分氧气等影响的保护作用。随温度变化的稳态光致发光光谱表明,CsPbBr3纳米晶和CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶的带隙随温度升高均发生蓝偏,并且半峰宽也均会增加。对温度与半峰宽的函数关系进行拟合,量化两类纳米晶中影响光致发光峰展宽的纵向光学声子能量分别为42.89±6.08meV和47.88±19.57meV,揭示了强激子-声子相互作用有利于降低非辐射跃迁,从而提高发光量子产率的物理规律。除了研究材料性能外,我们还基于450nm蓝光芯片组装了以两种纳米晶作为转光材料的背光发光二极管。结果发现滴加1.53毫升CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶溶液时能制备出最接近纯绿色的发光二极管,对应国际照明委员会1931色度坐标为(0.2013,0.7461),对应光效在10mA驱动电流下为35lm W-1,在25mA驱动电流下能达到最大光效。说明使用CsPbBr3-Cs4PbBr6复合相纳米晶是获得纯绿色背光发光二极管的有效方式。
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