减小和抑制二次电子倍增效应研究

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脉冲缩短限制了微波脉冲能量的提高,制约了高功率微波源和加速器的发展。造成脉冲缩短的重要原因之一就是二次电子倍增效应(multipactor)。二次电子倍增效应是一种电子在相互作用腔或射频(RF)窗中撞击金属/介质表面并释放出大量二次电子,由而引起的一种雪崩效应。本文以微波器件中的波束相互作用理论为基础,从物理机制上对微波源器件中的二次电子倍增效应进行分析评价;结合具体器件的结构构型,分别建立双边和单边两种动力学模型;讨论、分析和计算了二次电子倍增效应的敏感曲线和二次电子的时间演化规律,进而寻求减小或消除二次电子倍增效应的方法和途径。
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