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用于光纤通信密集波分复用技术中的14xxnm泵浦激光器,是拉曼光纤放大器（Raman amplifier, RA）中的核心部件,有着广阔的应用前景;InP基材料具有发光特性好,电子迁移率高等优点,已被广泛应用于制造光子器件、量子器件和超高速电子器件等领域。本工作重点研究了InP材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺,研究了ICP工艺对InP材料的刻蚀损伤,并将此工艺应用到脊波导半导体激光器的管芯制造中,制作了14xxnm脊波导InAsP/InGaAsP多量子阱激光器,取得了如下结果: 采用国产感应耦合等离子体刻蚀设备,以Cl2/Ar为刻蚀气体,在不同的ICP功率、直流自偏压、气体成分和流量等刻蚀参数下对（100）InP衬底片进行了刻蚀。研究了以上刻蚀参数对刻蚀速率、表面状况、选择比、刻蚀剖面等刻蚀质量指标的影响。最大刻蚀速率可达1.65μm/min,采用Si3Nx掩膜选择比可以达到15以上。优化的Cl2含量为30%左右,刻蚀速率处于峰值区,同时刻蚀粗糙度也达到最小值。SEM观察刻蚀表面清洁,刻蚀轮廓比较理想,刻蚀剖面各向异性佳。 采用ECV和PL测量方法对ICP刻蚀InP材料的表面损伤做了探测和分析。发现增大直流自偏压或ICP功率会增大n型InP表层的载流子浓度,影响深度可达0.2μm,为了实现损伤极小的刻蚀,当ICP功率为300W时,直流自偏压应低于-130V;当ICP功率为200W时,直流自偏压应低于-170V。通过PL分析认为载流子浓度的变化与P原素缺失有关。 将InP的ICP刻蚀工艺应用到激光器脊波导的制作中,制作了不同腔长的14xxnm脊波导激光器。经测试激光器导通电压为0.5V,串联电阻1.8Ω,室温脉冲条件下阈值电流为50～75mA,阈值电流密度约为1.5KA/cm2,激射功率可大于25mW,激射波长为1.443μm。 本工作为化合物半导体器件工艺平台开展其它材料的ICP刻蚀工艺打下了基础。激光器制作工艺具有一定普遍性,为工艺平台完善了激光器器件工艺流程。