【摘 要】
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ZnO具有3.37 eV的直接宽禁带,在室温下有相当高的激子束缚能(60 meV),是潜在的电致紫外发光器件的半导体材料。当ZnO与CdO形成合金半导体Cd_xZnO_(1-x)O时,禁带宽度可以减小到～1.8 eV,因而可用于制备电致可见发光器件。本文在硅基上制备了基于ZnO缺陷发光的电致发光器件,研究了其发光性能;此外,利用反应磁控溅射法制备了Cd_xZnO_(1-x)O薄膜,研究了其光致发光
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ZnO具有3.37 eV的直接宽禁带,在室温下有相当高的激子束缚能(60 meV),是潜在的电致紫外发光器件的半导体材料。当ZnO与CdO形成合金半导体Cd_xZnO_(1-x)O时,禁带宽度可以减小到～1.8 eV,因而可用于制备电致可见发光器件。本文在硅基上制备了基于ZnO缺陷发光的电致发光器件,研究了其发光性能;此外,利用反应磁控溅射法制备了Cd_xZnO_(1-x)O薄膜,研究了其光致发光随热处理条件的变化情况,为制备基于Cd_xZnO_(1-x)O薄膜的电致可见发光器件打下基础。本文得到了
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