三氧化钨(WO<,3>)是一种具有广泛应用前景的功能材料,在诸如电致变电、气体探测和化学催化等方面已得到较系统的研究.该文制备WO<,3>多晶陶瓷块体和薄膜样品出发,以其非线性电学性质为主要研究内容,通过掺杂、显微分析等手段,试图进一步深入了解WO<,3>功能材料的电性质.主要的研究内容和结果有:1、采用一般的电子陶瓷工艺和射频磁控溅射技术,分别制备了WO<,3>多晶陶瓷块体和薄膜样品,较为系统深入地研究了一些关键性的制备工艺参数以及环境温度、电极材料和样品厚度等因素对压敏电阻主要参数的影响,通过常用的显微分析手段确定了WO<,3>样品的物相和形貌.2、系统研究了锂(LiCO<,3>)掺杂对WO<,3>基陶瓷电学行为的影响.3、对Al<,2>O<,3>、Nb<,2>O<,5>、MnO<,2>、Na<,2>WO<,4>、Co<,2>O<,3>和Bi<,2>O<,3>等氧化物的掺杂也进行了研究.4、通过对上述实验结果的分析,指出现有的以晶粒-晶界处双Schottky势垒为基础的半导体功能陶瓷非线性电输运物理理论具有一定的局限性,它不能完全解释WO<,3>多晶陶瓷的非线性电学行为.