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共面波导传输线（CPW）是一种平面传输线结构。与微带线相比，CPW制作更加容易，与无源、有源器件在微波电路中串联、并联更加容易，提高密度更加容易，因此，CPW越来越多的应用在单片微波集成电路（MMIC）中，MMIC应用范围十分广泛，比如，微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器等各种宽带微波电路。但是在应用的过程中，损耗的问题尤为突出，因此，很有必要进一步进行损耗的研究与分析。 本课题基于微波高介电常数薄膜共面波导表征结构，以已知材料SiO2为研究对象，进行了大量的仿真和实验分析，旨在验证表征方法和表征结构的准确性，为下一步表征未知薄膜做准备。本文主要进行了以下工作： （1）进行了SiO2薄膜的制备，选用最适合的溶胶-凝胶法进行薄膜的制备。然后进行了S参数的测量与仿真，将测量值和仿真值进行拟合，结果表明，测量值和仿真值可以很好地拟合，证明了测量和仿真的一致性以及仿真的准确性。 （2）进行了大量的仿真，分析了回波损耗和插入损耗两个特征参量，探索损耗的影响因素以及影响方式，找寻在一定条件下特性的临界值，以及实际情况下影响因素与特性之间的权衡。结果表明，加入电导率较大的金属材料作为顶部金属，可以有效改善器件的特性；确定了中心导体和接地线之间的间隙为10μm、中心导体宽度为10μm是最合适的选择；加入合适的缓冲层，可以有效改善器件的特性；SOI、高阻硅、低阻硅三种基底中，SOI作为基底时器件的特性最优；加入探针焊盘，会使特性恶化；CPW的衍生结构与CPW做了简单比较。 （3）进行了损耗角正切的表征，在表征过程中先得到介电薄膜的相对介电常数，结果表明，S21表征法平均偏差1.435%，单线表征法平均偏差0.483%，双线表征法平均偏差0.448%，说明三种方法均可以准确地表征介电薄膜的相对介电常数，然后利用得到的相对介电常数进一步表征损耗角正切，结果表明，表征的平均偏差大约2.166%，说明该方法可以准确表征介电薄膜的损耗角正切。