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本论文对GaAs基RCE光探测器的微机械调谐与响应波段的拓展，进行了深入系统的理论和实验研究，主要内容包括(其中黑体加下划线的内容为创新性工作成果)：一.在国内首次对MOEMS可调谐RCE光探测器进行了工艺制作的尝试，得到了初步的实验结果。二.在通过优化器件制作工艺以及采用高速封装技术降低器件电阻方面取得了突破性的进展。首次研制成功了具有高速特性的GaAs/GaInNAs多量子阱RCE光探测器，实现了GaAs基探测器对长波长光的高速响应。三.对键合过程中晶片因热膨胀系数失配所形成的应力场分布、键合界面因晶格失配所形成的应力场分布以及键合界面的位错特性进行了理论分析，并对键合晶片的表面处理工艺进行了实验研究。