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对大多数材料而言，其晶粒尺寸大小及均匀性是决定材料性能优劣的关键因素之一。运用蒙特卡罗方法模拟晶粒生长过程，不仅可以获得晶粒尺寸变化的信息，而且可以直观地观察到晶粒形貌的演变。因此，建立蒙特卡罗模型以模拟晶粒生长，探讨晶粒的生长机理具有重要意义。通过对焙烧过程中晶粒生长机理的研究，提出了改进的晶粒生长跃迁概率蒙特卡罗模型，优化了模拟过程的算法，建立了模拟晶粒生长形貌演变的三维蒙特卡罗模型，开发了晶粒生长模拟系统，可实现对焙烧过程中晶粒生长和形貌演变的仿真。通过模拟