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近年来,钛酸铋系铁电薄膜材料在非易性铁电随机存储器(NvFeRAM)方面展现了十分诱人的应用前景。本实验采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法成功地制备了掺镧钛酸铋薄膜(Bi3.25Lao.75Ti3012,简称BLT),采用磁控溅射法(Magnetron Sputtering)构造了BLT铁电电容器。利用热重-差热分析(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、铁电测试仪(Precision LC Unit)对薄膜样品的结构、表面形貌、以及铁