紫外光探测器目前已广泛应用于空间通信、环境监测、航空航天、化学分析等多种领域,研究具有良好性能的紫外光探测器很有必要。单一材料的光电性能往往受到限制,而复合结构可以改善单一材料的不足。基于此本文分别制备了ZnO/ZnS异质结构、ZnO/ZnWO₄异质结构,并研究不同结构的光电性能,主要研究成果如下:1.采用普通水热法在导电玻璃上生长垂直于衬底的ZnO纳米棒阵列。通过单因素实验探究了种子层Zn²⁺浓度、生长液Zn²⁺浓度、水热反应温度和水热生长时间等对ZnO纳米棒阵列缺陷态的影响,确立了最佳的实验参数:种子层Zn²⁺浓度为0.01 M、生长液Zn²⁺浓度为0.025 M、生长时间为4 h、生长温度为95℃。2.采用真空硫化法在ZnO上复合了ZnS材料并探究了以ZnS/ZnO复合结构为光阳极的PECC（光化学电池）型紫外光电探测器的光电性能。结果表明:该结构的紫外光电探测器的开路电压V_OC为0.6 V,短路电流I_SC为5.63μA,灵敏度为401,相比于纯ZnO纳米棒阵列的119.7提高了许多,响应度也从2.81 A/W提高为9.38 A/W。光响应电流的提高归因于复合材料形成的Ⅱ型异质结构,而光响应速度变慢是因为复合结构的电子有效质量大于带氧空位缺陷ZnO的电子有效质量。3.采用还原法与热蒸发法结合制备了ZnO/ZnWO₄复合结构,以ZnO/ZnWO₄异质结构为光阳极制备PECC型紫外光电探测器并测试其光电性能。结果表明该种结构的探测器具有非常高的响应性能(V_OC=0.495 V,I_SC=12.19μA),且基于ZnO/ZnWO₄纳米棒阵列的光电探测器的灵敏度（869.71）优于基于裸ZnO纳米棒阵列的光电探测器的灵敏度（119）。前者响应度为20.31 A/W,后者响应度为2.81 A/W。同时,光电流的上升时间和下降时间均缩短。对纯ZnO与ZnO/ZnWO₄结构进行了带阶排列分析,结果表明异质结构导致能带向上弯曲,说明该复合材料能够促进光生载流子的有效分离。