有机半导体薄膜形态结构对器件性能具有非常重要的影响，获得高质量的薄膜是提高器件性能的重要途径。所以高质量有机半导体薄膜的制备成为有机半导体薄膜器件研究的核心内容之一。弱取向外延生长能够制备出高取向、大尺寸、低缺陷、连续的薄膜从而获得类单晶性能的有机半导体器件，基于这种方法制备出的有机半导体薄膜在有机电子学领域显示出巨大的应用潜力。在弱外延方法中，诱导层的品质直接决定了外延薄膜的生长行为和质量。由于薄膜生长过程与原子扩散的密切相关，在这个过程中不可避免的会出现各种缺陷，加上薄膜生长方式的转变，影响了薄膜的连续性。而退火这种方法能够增强原子的扩散迁移能力，减少薄膜材料的各类缺陷，降低粗糙度，增强了薄膜的晶化程度;另外退火处理能显著降低薄膜表层原子的最大法向受力和应力，从而能改善和提高薄膜性能。本论文主要集中在研究退火条件下六联苯(p-6P)薄膜的转变行为，以此来获得缺陷少，连续性好的六联苯超薄膜。　　首先，研究了六联苯薄膜在退火条件下的转变行为。它在较高温度(130℃)和较低温度(90℃)的二氧化硅基底上生长的薄膜退火(160℃)时表现出不同的转变行为:　　(1)对90℃和130℃生长的亚单层薄膜来说，退火时均会出现向体相结晶相转变的行为，退火时间延长，转化数目增多。　　(2)增大覆盖度，不同生长温度下生长的薄膜在退火时薄膜内都会出现孔洞，孔洞来自于退火时膜内缺陷、空位排出，在某些地方聚集;说明退火时，薄膜内部分缺陷得以消除。　　(3)130℃生长约1.3ML厚度的单层六联苯薄膜，在160℃退火0.5h，可以获得缺陷少，连续性好、膜内应力小的高质量外延基底，当外延生长第二层薄膜时，第二层薄膜保持了层状生长的行为，可以获得连续性好的双层薄膜。　　然后，以退火后形成的缺陷少，连续性好、膜内应力小的高质量六联苯单层薄膜为基底生长酞菁锌(ZnPc)，对比了退火和未退火的单层六联苯薄膜制备的p-6P/ZnPc薄膜晶体管性能，得出结论:以这种单层薄膜为外延基底，生长酞菁锌薄膜，由于对有机薄膜晶体管的研究发现电荷传输只发生在薄膜—基底界面处的几个分子层内，诱导层p-6P（也就是绝缘层）缺陷变少，连续性变好，有利于改善外延层ZnPc（也就是有源层）薄膜质量，使得有机半导体层与绝缘层之间的界面和有机半导体层与有机半导体层之间界面得以改善，有利于载流子传输，提高了器件性能。