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BaTi O3是制备多层陶瓷电容器的重要介电材料。不进行掺杂的BaTiO3陶瓷的烧结温度较高、室温相对介电常数较小、介电损耗较大,在相变处存在较强的介电峰。这些不利因素限制了Ba TiO3陶瓷的应用,因而须要通过掺杂改性等方法改善BaTiO3的容温变化率、调控晶粒尺寸分布、降低介电损耗,使它的电学性能符合电子陶瓷行业标准。在本论文的实验中,采用传统的固相反应法烧结工艺制备了单独掺杂Zn O、SnO2、Zn2SnO4及共同掺杂ZnO和SnO2,这四个体系的锡锌元素掺杂的Ba TiO3陶瓷,样品在四种不同的烧结温度和三种不同的保温时间下进行烧结,表征了烧结获得的Ba TiO3陶瓷的烧结特性、介温特性、介频特性、晶格结构和微观形貌等物理性能,从微观形貌演变、晶格参数变化和介电频谱分析等角度讨论了锡锌元素对Ba TiO3陶瓷介电性能产生影响的原因。结果表明,Zn O能够显著促进BaTi O3的烧结,降低烧结温度并减少孔隙数量,掺杂适量的Zn O能够获得具有均匀细晶结构的BaTiO3陶瓷,提高陶瓷的介电常数并减小介电损耗;掺杂SnO2的Ba TiO3陶瓷很难烧结致密,但能够显著地压低介电峰导致介电弥散;在Ba TiO3中掺杂Zn2SnO4可以获得致密的陶瓷,掺杂适量的Zn2SnO4能够提高BaTi O3在室温的介电常数、降低介电损耗并改善材料的容温变化率。掺杂Zn2SnO4比例为2%的Ba TiO3陶瓷的电学性能符合Y5V电子陶瓷行业标准、接近于X7R标准。Zn2SnO4掺杂的BaTi O3陶瓷在宽频区间存在两种弛豫现象,分别是高频区间内由偶极子转向极化引起的Debye型弛豫和低频区间内由氧空位电离引起的弛豫,两种弛豫机制对Zn2SnO4掺杂的Ba TiO3陶瓷在宽温度区间内的介电损耗具有不同的调控作用。