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与有机荧光染料相比,半导体量子点(QDs)具有吸收光谱连续、发射光谱窄而对称、量子产率高、光稳定性好等优点,被广泛用做荧光探针。金纳米粒子(AuNPs)制备简单,且吸收光谱宽、吸光系数大,是一种性能优良的荧光猝灭剂。本文合成了水溶性的CdTe QDs和AuNPs,考察了影响AuNPs猝灭CdTe QDs荧光的因素。本论文的研究工作主要分为两部分,具体内容如下：一、静电作用对金纳米粒子猝灭CdTe量子点荧光的影响CdTe QDs和AuNPs表面所带电荷的种类直接影响两者之间的静电作用,静电作用不同会影响两者之间相互作用的强弱,从而使AuNPs对CdTe QDs荧光的猝灭能力不同。我们合成了粒径相同的表面带正电荷CdTe QDs和表面带负电荷CdTe QDs,详细考察了表面带负电荷AuNPs对这两种CdTe QDs荧光的猝灭能力。实验结果表明,表面带负电荷AuNPs对表面带正电荷CdTe QDs荧光有更强的猝灭能力；进一步的实验表明,表面带正电荷AuNPs对表面带负电荷CdTe QDs荧光有更强的猝灭能力。可见,两种粒子间的静电引力有利于AuNPs对CdTe QDs荧光的猝灭。二、离子强度对金纳米粒子猝灭CdTe量子点荧光的影响我们合成了粒径、表面电荷和空间位阻各不同的CdTe QDs,详细考察了体系中高浓度盐(0.5M NaCl)对AuNPs猝灭CdTe QDs荧光能力的影响。实验结果表明,离子强度对AuNPs猝灭CdTe QDs荧光能力有很大的影响。进而,探讨了离子强度影响荧光猝灭的机理。一方面,离子强度影响AuNPs的分散状态,从而影响AuNPs吸收光谱与CdTe QDs发射光谱的重叠程度；另一方面,离子强度影响AuNPs与CdTe QDs间的静电作用,从而影响两者之间的相对距离。通过分析发现,离子强度的影响与CdTe QDs包被试剂的空间位阻密切相关,而与CdTe QDs的粒径和表面电荷无关。对于包被试剂空间位阻较小的CdTe QDs体系,离子强度主要通过影响两者之间的静电作用来影响AuNPs的猝灭能力；对于包被试剂空间位阻较大的CdTe QDs体系,离子强度主要通过影响AuNPs的分散状态来影响其猝灭能力。