石墨烯纳米带作为一种新型碳纳米材料,由于尺度达到了纳米级而出现一些奇特的性能,并可通过控制其几何构型或掺杂来调节其电子输运性能。这意味着对石墨烯纳米带的研究对于下一代新型纳米电子器件的制作与分析具有重要意义。本文研究的主要内容是石墨烯纳米带和由石墨烯纳米带构成的场效应管的电子输运特性分析,分为两个方面:(1)基于密度泛函理论与非平衡格林函数方法,研究了石墨烯纳米带的电子输运特性,分析了不同手性、不同宽度、不同原子边界饱和的石墨烯纳米带以及静电掺杂对其输运特性的影响,分析对比了能带图、电子态密度、电子传输谱以及伏安特性曲线。结果发现锯齿形(ZGNR)表现出良好的金属性,而扶手形(AGNR)则反映出半导体性;ZGNR的宽度越大,对电流抑制区间的越大,AGNR的宽度越大,其导通电压的值越小。(2)采用了纳米半导体器件的多尺度仿真方法,基于密度泛函理论提取体系哈密顿量,利用最局域化方法构建紧束缚哈密顿量。实现了对真实纳米电子器件的性能预测,分析了石墨烯纳米带场效应管的输运特性,包括不同沟道宽度、不同原子边界饱和的影响。结果发现不同原子的边界饱和的相比较于沟道宽度,更加能调制石墨烯纳米带场效应管的输运特性。