在本论文的研究中,我们研究了表面态和势垒结构对CuO、ZnO等氧化物半导体纳米线肖特基势垒输运特性的影响,基于对表面态和势垒结构的调控,探索了几种对纳米线肖特基势垒输运特性进行调控的方法。在此基础上,发展了几种基于纳米线肖特基势垒的新型光电功能器件。在研究表面态对CuO纳米线肖特基势垒输运的影响时,我们发现了表面态在纳米线表面的条状分布特性,并发展了一种对纳米线表面态进行空间分布成像的方法。另外,我们提出了部分耗尽的肖特基势垒二维结构模型,利用该模型,对CuO纳米线背靠背肖特基势垒结构中与接触长度比有关的整流特性,以及ZnO纳米线肖特基势垒光电二极管的不饱和光电流特性进行了解释。我们探索和发展了多种对势垒的输运特性进行调控的方法:构筑了三肖特基势垒结构,研究了该结构中势垒间输运特性的相互影响;发展了AFM刻蚀和电沉积结合烧结等两种钝化悬空键的有效方法;提出了一种利用局域光照对纳米线背靠背结构中的两个势垒分别进行控制的方法。另外,在ZnO纳米线背靠背肖特基势垒结构中,在电学脉冲的控制下,可以对两个势垒的势垒高度分别进行控制,使正负电流表现出独立的开关特性,以此为基础,发展了双向可控肖特基势垒整流器和三稳态存储器等新原理性器件。