射频集成电路中的ESD设计已经成为影响射频集成电路可靠性和射频性能的严重问题。为了达到更大的ESD鲁棒性，需要更大面积的ESD器件，而在射频电路中，ESD器件面积越大对应容抗越大，引入的阻抗对内部电路的射频性能造成的影响越严重，本文从ESD电路角度出发，探索上述射频ESD矛盾的解决途径。本文首先简要描述了射频ESD的特点并给出了国际通用的几种ESD模型和测试组合，在此基础上，考虑射频参数，阐述了目前的射频ESD测试方法。然后分别阐述了目前的窄带和宽带的射频ESD研究方法和一些基本的网络并分析了其各自的优缺点。紧接着，本文阐述了射频ESD设计的重点和难点，在此基础上设计了引入电容不超过200fF的不等分布П型ESD保护电路。然后分别针对ESD对窄带和宽带的LNA的各项射频参数造成的影响做了理论分析，在引入相同的电容负载情况下，分别以10GHz的窄带LNA和8-12GHzLNA为例，对传统ESD和分布式ESD对LNA各射频参数的影响做了仿真对比，结果显示在以2KVESD鲁棒性的设计要求，本文设计的不等分布П型ESD能明显减轻ESD对射频参数的影响，而且越宽的频段，越高的应用频率，这种优势越明显。最后，本文设计了ESD电源箝位电路，从原理出发给出了设计过程并通过仿真验证了电路性能，并对箝位电路的关键指标——去闩锁时间做了优化，结果显示设计的箝位电路能满足ESD鲁棒性要求，优化前后的去闩锁时间有大幅度的降低。