随着半导体集成电路向多功能化,小型化的不断发展,作为半导体集成电路的发展演进标志的特征尺寸进一步减小,低介电常数材料的应用将会越来越广泛。但目前可以使用的低介电常数材料尚不够理想,因而低介电材料的使用对集成电路制造和封装工艺带来了诸多挑战。由于低介电常数材料的脆性,传统的引线压焊参数设置将会导致焊盘碎裂以及金铝化合物不良;由于使用低介电常数材料后,芯片尺寸、压焊区域和压焊间距进一步减小,金线压焊长度和密度大大增加,这就为压焊和模塑提出了新的要求;同样由于低介电常数材料的应用,对封装体内部的热应力的控制也提出了更高的要求。本文就低介电常数材料应用对集成电路封装中引线键合和模塑工艺方面的问题进行了深入研究。在引线键合方面,通过对不同纯度金线的选择、劈刀设计的优化、以及对引线压焊工艺窗口的研究,找到了可降低焊盘碎裂,金铝间化合物分层等问题的方法;通过使用反向压焊来控制线线弧高度和在邻近线间使用高低线弧来控制线弧以及模塑注塑速度细分化的方法,有效降低了冲线值;在模塑方面,针对不同封装形式,通过封装模块在烘烤过程中优化外加压力的时机,利用物理方法有效减低了翘曲;此外从化学角度出发,通过对模塑材料配方的优化以及添加应力释放剂,有效降低了封装内的热应力,减小了封装模块的翘曲。经过对新材料进行系统评估,并结合在大量生产中的实际应用,验证了上述封装工艺的可行性。