随着微机电系统的发展,设计开发新型太赫兹超材料功能器件的研究报道非常多。但是目前太赫兹调控器普遍存在带宽较窄、调制幅度小、调制速率低等缺点,且通常都是制作在刚性衬底上,制约着太赫兹在通信技术方面的应用。因此,本文着重研究基于柔性衬底的太赫兹超材料调控器,包括结构设计,机理研究,MEMS工艺的加工以及太赫兹传输性能的测试,主要研究成果有:（1）分析了超材料三种共振模式的机理,并介绍了太赫兹超材料的驱动方式、太赫兹超材料调控器的研究进展。（2）设计了一组共四个基于两个同轴的双开口环谐振器的太赫兹超材料器件。提出的四个超材料器件均是基于MEMS工艺的超薄柔性器件,衬底为柔性材料parylene-C,整个器件的厚度仅5.2μm。内外开口环谐振器开口的相对角度从0°增加到90°,谐振峰的位置发生蓝移,可以实现在太赫兹波段的双频带调谐。同时,对入射电磁波进行了入射角、极化角的研究,结果表明,该器件可以实现幅值的调制,并且有对极化角不敏感的特性,有望用作可应用在任意形状表面的传感器。（3）制备了一种基于弯曲传感的具有双层结构的超薄太赫兹超材料器件。器件的衬底为柔性材料parylene-C,上面是一层金属,单元结构为镂空的“Ω”环。由于两种材料热膨胀系数的不同导致残余应力的存在,器件在制备完成后,中间的圆盘向上翘起约4.2°。将器件由外向内挤压,当挤压方向与Ω的对称轴垂直,圆盘的翘起角度几乎没有变化,反之,弯曲应力与翘起角度呈正相关。将4个基础结构单元依次旋转90°形成旋转对称的结构,弯曲实验表明,仅仅1.3×10^-4的应力变化,就可以产生高达31.1%的幅度调制,因此该器件可以用作超灵敏传感器。