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随着集成电子技术的不断发展,硅片直径不断增大,硅片厚度不断变薄,硅片表面的平整度、精度要求不断升高。随着450mm直径硅片的时代即将来临,其精度要求为纳米级,传统的硅片夹持方式容易损伤硅片,使硅片表面造成划痕等,逐渐不能满足新的要求。本文根据漩涡中心产生负压的原理,研究并设计漩涡吸盘,使硅片悬浮于空中,避免硅片表面受到损伤。相对其它夹持方式,这种夹持方式使硅片表面应力分布均匀,可最大限度地避免硅片表面受到伤害。由于漩涡的不稳定性,单个漩涡吸盘无法实现正常的夹持功能,通过集成吸盘的引入,实现了硅片的稳