【摘 要】
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ZnO薄膜在可见光范围内有高的透过率,易于进行掺杂,薄膜掺杂后电阻率降低显著,是一种具有广阔应用前景的透明导电薄膜。目前,常用的透明导电氧化物薄膜体系包括In2O3、SnO2、ZnO三大体系,以及其掺杂体系In2O3:Sn(ITO), SnO2:F (FTO)和ZnO:Al (AZO)。近年来,由于AZO薄膜具有可与ITO薄膜相比拟的高透光率、电阻率和化学稳定性,这些性质使AZO薄膜能应用于平板显
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ZnO薄膜在可见光范围内有高的透过率,易于进行掺杂,薄膜掺杂后电阻率降低显著,是一种具有广阔应用前景的透明导电薄膜。目前,常用的透明导电氧化物薄膜体系包括In2O3、SnO2、ZnO三大体系,以及其掺杂体系In2O3:Sn(ITO), SnO2:F (FTO)和ZnO:Al (AZO)。近年来,由于AZO薄膜具有可与ITO薄膜相比拟的高透光率、电阻率和化学稳定性,这些性质使AZO薄膜能应用于平板显示器电极、气体传感器、太阳能电池等方面,引起了广泛的关注和研究。本论文概述了ZnO的基本性质和
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吸附式制冷是一种绿色环保节能的制冷技术,在低品位热能、废热能、太阳能等能源开发方面具有广阔的发展前景。然而,传统的吸附式制冷技术因为受到循环方式、吸附床技术等多方面的限制使其制冷效率较低,在与吸收式制冷及蒸汽压缩式制冷相比,还是缺乏一定的竞争力。吸附式制冷系统的核心技术之一就是吸附床的强化传热传质技术,本课题以探寻吸附床中混合吸附剂的渗透率与导热系数的变化随混合比、密度等参数的变化规律为目标,来研
在全球气候变化、区域经济迅速发展的背景下,超量开采地下水,引发了一系列的区域地面沉降问题。口前,我国有95个城市发生了地面沉降,总面积达到了48655平方千米。地面沉降是一种不可补偿的永久性环境和资源损失,是地质环境系统破坏所导致的区域地质灾害,并可以诱发地面塌陷、地裂缝等系列环境灾害,形成灾害链,对城市基础设施、高速铁路等重大工程产生了严重的威胁,成为制约区域可持续发展的重大环境问题。合成孔径雷
鄂尔多斯高原煤、石油、天然气等矿产资源丰富,开发潜力巨大,是我国21世纪重要的能源基地。海流兔河流域地处鄂尔多斯高原北部,由于本身处于干旱半干旱的毛乌素沙漠东南部边缘,因此生态环境十分脆弱。近年来由于国家对此区域的开发加大,致使生态环境发生严重变化:地下水位降低、部分地区出现盐碱化沙地以及由于开矿导致的区域生态环境的破坏。这不符合国家的环境可持续发展战略。所以为了更合理的开发鄂尔多斯盆地,加强此地
随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。β-Ga_2O_3作为一种直接带隙的宽禁带化合物半导体材料,被广泛应用于各种气敏传感器、紫外探测器、太阳能电池、平版印刷、表面改性、DNA检测、液晶显示器以及紫外发光器件的透明电极等领域。传统的透明导电氧化物薄膜如ITO由于带隙较小(<4eV),不具备深紫外透过特性。β-Ga_2O_3禁带宽度为4.5～5 eV
喷射成形一种新的材料制备技术,通过控制金属熔体从液态到固态的凝固过程,不但可以克服传统铸造过程中产生的晶粒粗大、偏析严重的缺点,还能显著改善粉末冶金工艺中工序复杂、易氧化等不足,是一种极具潜力的技术。喷射成形工艺中,金属液雾化是决定最终产品质量的关键阶段,因此雾化技术是喷射成形中最为关键的技术。在当前所有的喷射成形雾化技术中,金属液均以实心形式从导液管流出,而关于金属液以空心形式流出的雾化研究未见
喷射成形工艺中,雾化熔滴尺寸的大小是衡量沉积坯料质量好坏的一个重要标准,细化熔滴尺寸是气雾化技术领域研究的热点。根据气雾化液流的波动破碎理论,本研究提出以振荡气体雾化金属液,从而细化熔滴这一新思路,利用数值模拟、实验测量、机理分析等手段,展开了对气源振荡雾化技术的研究。完成了气源振荡装置实体的设计。此装置可以制备出频率为100Hz的振荡气体,振荡幅度的大小可以通过更换不同尺寸的转子叶片来调节。通过
Ti02作为稳定的宽禁带半导体(乓=3.2eV)在许多领域有着重要的作用,尤其是它的光催化性能近几年成为研究的热门。但作为光催化剂,Ti02存在着其自身的不足,概括起来主要是：对可见光不吸收和光生电子-空穴复合率高。很多研究通过对Ti02掺杂来解决上述问题,有一些研究通过掺Ce来改善Ti02的光催化性能,但大部分是通过溶胶-凝胶法制备的。溶胶-凝胶法制备的Ti02薄膜由于与衬底具有较差的附着力,大
包括AlN, BN, GaN和AlGaN在内的III-V族半导体具有较宽的直接带隙,在紫外光源和探测器方面的有着很好应用前景,同时它们都具有出色的物理化学性能,因而吸引了越来越多的科研工作者的关注。本文基于对L-MBE成膜过程的分析,明确了影响薄膜结晶的主要的参数;通过优化实验条件,成功制备了h-BN和AlN薄膜。并通过XRD、Raman、FTIR、SEM、EDS、XPS、UV-V-NIR、I-V
光子晶体是指具有光子带隙的一类新型材料,其结构为介电常数周期性变化的三维人造晶体,由于它的这种特性,已经成为制备速度快、容量大、集成度高的新型光子器件的基础。本文以物化性能优良的碳微球(CMSs)为构筑单元,对其表面进行化学修饰,然后经自组装合成具有优良热稳定性、机械稳定性和光电性能的碳膜,此材料有望作为光子晶体,在光电器件方面展现出极大的发展潜力和应用前景。 本文首先利用化学气相沉积法制备了C
透明导电薄膜将透明和导电性能相结合,是一类具有鲜明特色的功能薄膜材料,广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、节能玻璃等光电领域。在这类材料中,掺杂氧化锌(ZnO)是一种具有良好可见光透射性和类金属导电性的透明导电薄膜,相对目前应用最广的氧化铟锡(ITO)薄膜,具有材料来源丰富、价格低廉、无毒、容易实现低温沉积以及在氢等离子体环境中稳定等优势,是最有希望替代ITO的材料。本文采用直流反应磁控溅射技术在室