【摘 要】
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该文将现代电子工艺中比较先进的成膜工艺——直流磁控溅射法,应用在PTCR元件的底电极的制备上,是一种全新的尝试,结果获得了高性能的与钛酸钡(BaTiO)系PTCR元件欧姆接触良好的,厚度1.0μm左右的溅射镍电极.结合实际生产需要,该课题就直流磁控溅射法制备高性能钛酸钡(BaTiO)系PTCR元件电极进行了较为详细的研究.研究内容主要包括:直流磁控溅射BaTiO系PTCR元件电极工艺研究、磁控溅射
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该文将现代电子工艺中比较先进的成膜工艺——直流磁控溅射法,应用在PTCR元件的底电极的制备上,是一种全新的尝试,结果获得了高性能的与钛酸钡(BaTiO<,3>)系PTCR元件欧姆接触良好的,厚度1.0μm左右的溅射镍电极.结合实际生产需要,该课题就直流磁控溅射法制备高性能钛酸钡(BaTiO<,3>)系PTCR元件电极进行了较为详细的研究.研究内容主要包括:直流磁控溅射BaTiO<,3>系PTCR元件电极工艺研究、磁控溅射镍电极的微观结构以及与BaTiO<,3>系PTCR元件的欧姆接触机理的探讨、磁控溅射电极对BaTiO<,3>系PTCR元件电性能的影响等.对溅射法、烧渗法和化学镀法制备了电极的元件电学性能及抗老化性能进行了对比研究.
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