GaN基LED主要是一种通过能带跃迁将电能转化为光能的半导体照明器件。与传统照明相比，由于其具有高效节能，寿命长等优点，已经在市内照明、汽车、显示、医药业等领域得到了广泛地应用且优势明显。　　然而，随着功率及注入电流的提高，LED的失效，尤其是热失效变得愈发严重，会影响发光特性，造成光衰、色漂移等严重后果。随着应用的推广，热管理及热失效分析也越来越引起人们的关注。本文对影响功率型LED热特性的不同因素进行了分析，并且对不同LED芯片，封装相同的功率型LED器件进行了加速老化，并对失效前后LED样品的参数进行了比较研究。本论文所取得的主要研究成果如下:　　1)功率型LED热阻热性分析:利用瞬态热测量方式，对工作在不同温度和驱动电流下的GaN基发光二极管进行热阻分析。通过比较光电特性我们发现LED芯片对器件热阻影响很小，同时Die attach层对LED器件的热特性起着非常重要的影响，大约为50％。器件热阻不是一恒定值，会随着外部温度变化以及工作电流变化而变化。其变化的主要原因是归因于Die attach，由于die attach材料的声子平均自由程减小，从而降低了材料的热导率。　　2)研究了不同荧光粉涂覆技术对热学特性的影响:在传统封装形式白光器件中，荧光粉对器件散热有着一定影响，由于其相对硅树脂较高的导热能力，可以有效的将芯片和荧光粉产生的热扩散到散热底座上。如果采用远程荧光粉涂覆技术，虽然荧光粉远离芯片有助于降低LED芯片的PN结结温，但会使得荧光粉温度升高，从而降低荧光粉的性能和可靠性。器件总热阻中，die attach占比重较大，LED器件中LED芯片对整体热阻贡献很小。　　3)通过对不同LED蓝光器件进行加速老化，并对其老化前后的光电和热性能进行了比较分析。老化后，虽然峰值波长及峰形没有发生变化，但是串联电阻Rs以及热阻一般都有升高趋势。随着热阻的上升，其散热能力将会下降，使得在同样工作功率下的芯片结温升高，影响LED器件的正常工作。